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科锐推出突破性 GaN基固态放大器平台||突破性的技术实现传统方案两倍的效率

  科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。

  科锐无线射频销售与市场总监 Tom Dekker 表示:“与同频率范围的 GaAs 晶体管相比,科锐0.25微米GaN HEMT裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效率的综合功率方案,从而提升固态功率放大器在 C 波段、X 波段以及 Ku 波段的性能。”

  主要的市场应用包括航海雷达、医疗成像、工业及卫星通信等领域。与 GaAs 晶体管相比,固态放大器具有更高的可靠性、更低的成本以及更卓越的效率,并且能够缩小功率放大器和电源的体积。GaN HEMT 功率放大器的高效率能够有效地降低发射机的功率消耗。

  科锐无线射频业务发展经理 Ray PengELly 表示:“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能,效率和带宽的显著提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如,开关模式的高功率放大器(HPA)能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时,GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”

  在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内,全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。

  新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术,同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容,因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路,从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性,并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时,平均无故障运行时间超过一百万小时。

  如欲了解更多科锐全新0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 裸芯片系列产品详情,敬请访问:www.cree.com/rf。

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Tags:更高 可达 有效地 系列产品 责任编辑:admin
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