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原创:下一代半导体照明分析,还可以,激光灯,是在!
    内容摘要:
    【内容摘要:第一代是在碳化硅和硅基底上的LED,而第二代LED则是基于氮化镓基底,二者比较而言,用氮化镓做基底的第二代LED较第一代有很大的提高,如电流密度、温度都有很大提高。在性能方面,采用非极化和半】
    正文:
第一代是在碳化硅和硅基底上的LED,而第二代LED则是基于氮化镓基底,二者比较而言,用氮化镓做基底的第二代LED较第一代有很大的提高,如电流密度、温度都有很大提高。在性能方面,采用非极化和半极化的方式进行研究,并在2007年有了更大的突破,可以实现降低50%成本,发光率则增长50%。”
  氮化镓基底没有以往那些晶体的缺陷,不仅能提高电流密度,还可以使散热增加0.4%~0.5%,因此用氮化镓做基底的LED将更加明亮。除此之外,用氮化镓还能减少LED的数量,做出非常漂亮的点光源,并可以达到75W卤素灯的水平,而且输入功率只有12W,“我们也将其称之为激光灯,未来将非常有潜力,主要原因在于激光灯的效率非常高,电流效率是10~100A/cm2,而且芯片非常小。
  最后,氮化镓比蓝宝石基底的LED更好,而且成本也有所下降,能够满足现有LED技术要求,其电流密度可比以前增加10倍,照明质量更高。同时,使用氮化镓还可以采用非极化和半极化的平面,以提高它的效率。“下一代半导体照明很可能是激光照明,虽然目前还没有大规模使用,但LED灯与激光灯比较,效率下降小、电流密度增加许多,所以激光照明会是未来的一个发展趋势。
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