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欧司朗光电半导体率先进入硅上氮化镓LED芯片试点阶段

    欧司朗光电半导体率先进入硅上氮化镓LED芯片(gallium-nitride LED chip) 试点阶段,进一步夯实其在高质量薄膜 LED 领域的领军地位

  二零一二年一月十二日 -- 中国讯 - 欧司朗光电半导体的研发人员成功地制造出高性能蓝白光 LED 原型,当中的氮化镓发光层生长于直径为 150 毫米的硅晶圆上。这晶圆以硅代替了目前常用的蓝宝石(sapphire),同样获得相等的优异质量。这款全新的 LED 芯片已经进入试点阶段,将在实际条件下接受测试,这表示欧司朗光电半导体的首批硅上 LED 芯片有望在两年内投放市场。

  欧司朗光电半导体德国总部项目经理 Peter Stauss 博士指出:“我们多年的研发投入终于有了回报:不仅成功地提升了硅基上氮化镓层的质量,产品的效能和亮度也极具竞争力。此外,我们还执行了应力试验,证明我们的 LED 具有很高的质量以及良好的耐用性,这是我们传统检验标志的两项主要指标。”在过去 30 多年的时间里,公司在人工晶体生长(外延附生)工艺领域积累了丰富的专业经验,为这项全新制造技术的发展里程碑上奠定了基础。德国联邦教育和研究部将这些研发活动纳入其“硅上氮化镓 (GaNonSi)” 项目网络,拨付了研发基金。

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