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科锐推出封装型1700V碳化硅肖特基二极管

  为太阳能、电机驱动和牵引应用提高效率并节约成本

  扩大了碳化硅对于分立器件设计低功率系统的优势,可替代大范围功率级硅二极管

  碳化硅(SiC)功率器件的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1700V Z-Rec®肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗,能够使系统实现超高效率并且更小、更轻,同时提高了整体的可靠性。此次发布的全新封装产品采用1700V Z-Rec技术,进一步提升分立器件设计低功率应用的性能并且节约系统成本。

  科锐功率与射频(RF)副总裁兼总经理 Cengiz Balkas 表示:“科锐1700V碳化硅肖特基二极管是高效电力电子系统的理想选择。它拥有业经验证的科锐Z-Rec碳化硅肖特基二极管的所有优势——包括零反向恢复损耗,不受温度影响的开关以及在更高频率下工作。”

  1700V裸芯片已经提供给自主设计定制电源模组的客户进行使用。而新型TO-247-2封装能够使客户充分运用低功率1700V设计的碳化硅的优势,在选择电流级别时拥有更大的设计灵活性,并加快产品上市时间。

  Balkas进一步指出:“1700V碳化硅肖特基二极管为高压电源应用领域的设计工程师提供了诸多优势。碳化硅二极管能够实现最大电源效率和更好的电磁干扰(EMI)性能。开关损耗的改善则能够提高系统频率,从而缩小电磁性和电容性器件的尺寸,并且能够使得系统整体尺寸、重量和成本都将显著减少。此外,1700V碳化硅二极管可以消除多个低电压硅二极管的叠加使用,从而能够减少器件数量,提高散热性能和可靠性。”

  科锐C3Dxx170H新型碳化硅二极管系列的额定电流/电压分别为10A/1700V和25A/1700V,均采用业界标准的TO-247-2封装,工作结温为-55°C至+175°C。

  产品数据现可从www.cree.com/power/diodes.asp获取,如欲了解器件的供货情况,敬请与科锐公司联系。如需索取样品及进一步了解科锐碳化硅功率器件,敬请访问www.cree.com/power。

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