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HOMSEMI 中低压Power MOSFET 全面升级8英寸0.18μm Trench工艺

  2011年12月,广州成启半导体有限公司宣布,HOMSEMI中低压MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工艺晶圆。成启半导体表示,这次产品升级已经过一年准备和试产,将使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS(ON)降低、QG降低,提高整机效率,同时获得更好的成本控制能力,这意味着,HOMSEMI成为国内一线分立功率半导体品牌。

  此外,HOMSEMI产品运营总监黎总表示,进一步0.13um工艺已经排入日程,预计在2012年第4季度产出产品。

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Tags:将使 成本控制 晶圆 这意味着 责任编辑:admin
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